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美光、SK海力士跟隨中！三星對(duì)內(nèi)存、閃存產(chǎn)品提價(jià)3-5%：客戶(hù)已開(kāi)始談判新合同

  • 4月7日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道稱(chēng)，三星公司領(lǐng)導(dǎo)層將對(duì)主要全球客戶(hù)提高內(nèi)存芯片價(jià)格——從當(dāng)前水平提高3-5%。在三星看來(lái)，“需求大幅增長(zhǎng)”導(dǎo)致DRAM、NAND閃存和HBM產(chǎn)品組合的價(jià)格上漲，預(yù)計(jì)2025年和2026年價(jià)格都會(huì)上漲。一位不愿透露姓名的半導(dǎo)體業(yè)內(nèi)人士表示：去年全年供應(yīng)過(guò)剩，但隨著主要公司開(kāi)始減產(chǎn)，供應(yīng)量最近有所下降，目前三星漲價(jià)后部分新合同的談判已然啟動(dòng)。此外，人工智能 (AI) 設(shè)備在中國(guó)接連出現(xiàn)，由于工業(yè)自動(dòng)化，對(duì)半導(dǎo)體的需求正在逐漸增加。市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)DRAMeXchange給出的統(tǒng)計(jì)顯示，
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下游客戶(hù)庫(kù)存去化順利，預(yù)計(jì)2Q25 DRAM價(jià)格跌幅將收斂

  • 根據(jù)TrendForce集邦咨詢(xún)最新調(diào)查，2025年第一季下游品牌廠(chǎng)大都提前出貨因應(yīng)國(guó)際形勢(shì)變化，此舉有助供應(yīng)鏈中DRAM的庫(kù)存去化。展望第二季，預(yù)估Conventional DRAM（一般型DRAM）價(jià)格跌幅將收斂至季減0%至5%，若納入HBM計(jì)算，受惠于HBM3e 12hi逐漸放量，預(yù)計(jì)均價(jià)為季增3%至8%。PC DRAM、Server DRAM價(jià)格皆持平上季因應(yīng)國(guó)際形勢(shì)變化，各主要PC OEM要求ODM提高整機(jī)組裝量，將加速去化OEM手中的DRAM庫(kù)存。為確保2025年下半年產(chǎn)線(xiàn)供料穩(wěn)定，庫(kù)存水
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美光1γ DRAM開(kāi)始出貨，用上了EUV

  • 美光經(jīng)過(guò)多代驗(yàn)證的 DRAM 技術(shù)和制造策略促成了這一優(yōu)化的 1γ節(jié)點(diǎn)的誕生。
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新型高密度、高帶寬3D DRAM問(wèn)世

  • 3D DRAM 將成為未來(lái)內(nèi)存市場(chǎng)的重要競(jìng)爭(zhēng)者。
  • 關(guān)鍵字： 3D DRAM  

美光宣布1γ DRAM開(kāi)始出貨：引領(lǐng)內(nèi)存技術(shù)突破，滿(mǎn)足未來(lái)計(jì)算需求

  • 美光科技股份有限公司近日宣布，已率先向生態(tài)系統(tǒng)合作伙伴及特定客戶(hù)出貨專(zhuān)為下一代?CPU?設(shè)計(jì)的?1γ（1-gamma）第六代（10?納米級(jí)）DRAM?節(jié)點(diǎn)?DDR5?內(nèi)存樣品。得益于美光此前在?1α（1-alpha）和?1β（1-beta）DRAM?節(jié)點(diǎn)的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)，1γ DRAM?節(jié)點(diǎn)的這一新里程碑將推動(dòng)從云端、工業(yè)、消費(fèi)應(yīng)用到端側(cè)?AI?設(shè)備（如?AI PC、智能手
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消息稱(chēng)三星芯片部門(mén)負(fù)責(zé)人攜1b DRAM樣品訪(fǎng)問(wèn)英偉達(dá)

  • 2 月 18 日消息，據(jù) TheElec 報(bào)道，三星芯片部門(mén)的負(fù)責(zé)人上周親自前往美國(guó)英偉達(dá)總部進(jìn)行訪(fǎng)問(wèn)。此次訪(fǎng)問(wèn)的目的是向英偉達(dá)展示三星最新研發(fā)的 1b DRAM 芯片樣品，該芯片主要用于高帶寬內(nèi)存（HBM）。消息人士透露，英偉達(dá)曾在去年要求三星改進(jìn)其 1b DRAM 的設(shè)計(jì)，此次展示的樣品正是基于英偉達(dá)的要求而改進(jìn)后的成果。通常情況下，三星設(shè)備解決方案（DS）部門(mén)的負(fù)責(zé)人親自向客戶(hù)展示樣品的情況較為罕見(jiàn)。IT之家注意到，三星在去年曾計(jì)劃使用 1b DRAM 生產(chǎn) HBM，但遭遇了良品率和過(guò)熱問(wèn)題。該
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SK海力士實(shí)現(xiàn)1c nm制程DRAM內(nèi)存量產(chǎn)

  • 據(jù)韓媒報(bào)道，近日，SK海力士成功完成了1c納米制程DRAM的批量產(chǎn)品認(rèn)證，連續(xù)多個(gè)以25塊晶圓為單位的批次在質(zhì)量和良率上均達(dá)到要求，預(yù)計(jì)SK海力士將在2月初正式啟動(dòng)1c納米DRAM的量產(chǎn)。據(jù)了解，SK海力士在2024年8月末宣布成功實(shí)現(xiàn)1c納米工藝的 16Gb DDR5-8000 DRAM 內(nèi)存開(kāi)發(fā)。SK海力士曾表示，1c工藝技術(shù)將應(yīng)用于新一代HBM、LPDDR6、GDDR7等最先進(jìn)的DRAM主力產(chǎn)品群，進(jìn)一步鞏固其在內(nèi)存市場(chǎng)的領(lǐng)先地位。
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?三星旗艦Galaxy S25系列放棄自家內(nèi)存，美光成為首要供應(yīng)商

  • 三星Galaxy S25系列可能會(huì)選擇美光作為第一內(nèi)存供應(yīng)商，而非自家的產(chǎn)品。這一決定標(biāo)志著三星在旗艦智能手機(jī)中首次沒(méi)有優(yōu)先使用自家的內(nèi)存解決方案，這也讓外界對(duì)三星內(nèi)存技術(shù)的競(jìng)爭(zhēng)力產(chǎn)生了質(zhì)疑。美光此前多年一直是三星旗艦Galaxy智能手機(jī)中的第二內(nèi)存供應(yīng)商，這次卻打敗三星成為了第一供應(yīng)商，似乎折射出內(nèi)部部門(mén)競(jìng)爭(zhēng)的微妙行情。2024年9月就有報(bào)道指出因良率問(wèn)題，三星DS（設(shè)備解決方案）部門(mén)未能按時(shí)足量向三星MX（移動(dòng)體驗(yàn)）部門(mén)交付Galaxy S25系列手機(jī)開(kāi)發(fā)所需的LPDDR5X內(nèi)存樣品，導(dǎo)致MX部門(mén)的手
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買(mǎi)方采購(gòu)策略調(diào)整，1Q25 DRAM合約價(jià)走跌

  • 根據(jù)TrendForce集邦咨詢(xún)最新調(diào)查，2025年第一季進(jìn)入淡季循環(huán)，DRAM市場(chǎng)因智能手機(jī)等消費(fèi)性產(chǎn)品需求持續(xù)萎縮，加上筆記本電腦等產(chǎn)品因擔(dān)心美國(guó)可能拉高進(jìn)口關(guān)稅的疑慮，已提前備貨，進(jìn)而造成DRAM均價(jià)下跌。其中，一般型DRAM（Conventional DRAM）的跌幅預(yù)估將擴(kuò)大至8%至13%，若計(jì)入HBM產(chǎn)品，價(jià)格預(yù)計(jì)下跌0%至5%。PC DRAM價(jià)格估跌幅為8-13%，Server DRAM則跌5-10%TrendForce集邦咨詢(xún)表示，2024年第四季PC OEM在終端銷(xiāo)售疲弱，DRAM價(jià)格反
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美國(guó)商務(wù)部向美光科技提供 61 億美元資金，用于在該國(guó)生產(chǎn)芯片

  • 12 月 11 日消息，美國(guó)商務(wù)部周二表示，作為2022 年《芯片和科學(xué)法案》的一部分，美光科技已獲得高達(dá) 61.65 億美元（當(dāng)前約 448.07 億元人民幣）的撥款，用于在美國(guó)制造半導(dǎo)體。該機(jī)構(gòu)表示，這筆資金將支持美光的“二十年愿景”，即在紐約投資約 1000 億美元、在愛(ài)達(dá)荷州投資 250 億美元用于新工廠(chǎng)，并創(chuàng)造約 20,000 個(gè)新工作崗位。美國(guó)商務(wù)部還表示，美光將根據(jù)某些里程碑的完成情況逐步獲得上述資金。此外，美國(guó)商務(wù)部還宣布已與美光科技達(dá)成初步協(xié)議，將額外提供 2.75 億美元資金，用于擴(kuò)建
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提高下一代DRAM器件的寄生電容性能

  • 摘要隨著傳統(tǒng)DRAM器件的持續(xù)縮小，較小尺寸下寄生電容的增加可能會(huì)對(duì)器件性能產(chǎn)生負(fù)面影響，未來(lái)可能需要新的DRAM結(jié)構(gòu)來(lái)降低總電容，并使器件發(fā)揮出合格的性能。本研究比較了6F2蜂窩動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (DRAM) 器件與4F2垂直通道訪(fǎng)問(wèn)晶體管 (VCAT) DRAM結(jié)構(gòu)的寄生電容。結(jié)果表明，與6F2結(jié)構(gòu)相比，4F2結(jié)構(gòu)顯著降低了節(jié)點(diǎn)接觸 (NC) 與位線(xiàn) (BL) 之間的寄生電容。盡管4F2器件其他組件之間的寄生電容相比6F2器件略有增加，但它們?nèi)蕴幱谥С制骷_(dá)成目標(biāo)性能的合格水平。相比6F2器件，4F
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在2025年DRAM位元產(chǎn)出增長(zhǎng)下，供應(yīng)商需謹(jǐn)慎規(guī)劃產(chǎn)能以保持盈利

  • DRAM產(chǎn)業(yè)歷經(jīng)2024年前三季的庫(kù)存去化和價(jià)格回升，價(jià)格動(dòng)能于第四季出現(xiàn)弱化。TrendForce集邦咨詢(xún)資深研究副總吳雅婷表示，由于部分供應(yīng)商在今年獲利后展開(kāi)新增產(chǎn)能規(guī)劃，預(yù)估2025年整體DRAM產(chǎn)業(yè)位元產(chǎn)出將年增25%，成長(zhǎng)幅度較2024年大。根據(jù)TrendForce集邦咨詢(xún)最新調(diào)查，DRAM產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)越趨復(fù)雜，除現(xiàn)有的PC、Server、Mobile、Graphics和Consumer DRAM外，又新增HBM品類(lèi)。吳雅婷指出，三大DRAM原廠(chǎng)中，SK hynix（SK海力士）因HBM產(chǎn)品
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北京君正：21nm DRAM新工藝預(yù)計(jì)年底推出

  • 近日，北京君正在接受機(jī)構(gòu)調(diào)研時(shí)就DRAM的新工藝情況表示，21nm和20nm都有在研，預(yù)計(jì)21nm的今年年底會(huì)推出，20nm預(yù)計(jì)將于明年中前后推出，后續(xù)還會(huì)繼續(xù)進(jìn)行更新工藝的產(chǎn)品研發(fā)。關(guān)于存儲(chǔ)中各類(lèi)市場(chǎng)的收入占比情況，北京君正表示，汽車(chē)市場(chǎng)占比大概40%以上，工業(yè)和醫(yī)療今年市場(chǎng)景氣度差一些，去年占比超過(guò)30%，今年大概不到30%，剩下大約20%多的是通信和消費(fèi)等其他領(lǐng)域。存儲(chǔ)產(chǎn)品價(jià)格方面，北京君正的存儲(chǔ)產(chǎn)品主要面向行業(yè)市場(chǎng)，這個(gè)市場(chǎng)的價(jià)格變動(dòng)特點(diǎn)和消費(fèi)類(lèi)市場(chǎng)不同，這幾年行業(yè)市場(chǎng)存儲(chǔ)價(jià)格高點(diǎn)是2022年，2
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郭明錤剖析英特爾 Lunar Lake 失敗原因

  • 11 月 6 日消息，天風(fēng)證券分析師郭明錤昨日（11 月 5 日）在 Medium 上發(fā)布博文，深入分析了英特爾 Lunar Lake 失敗的前因后果。IT之家此前報(bào)道，是英特爾近期宣布在 Lunar Lake (LNL) 之后，將不再把 DRAM 整合進(jìn) CPU 封裝。雖此事近來(lái)成為焦點(diǎn)，但業(yè)界早在至少半年前就知道，在英特爾的 roadmap 上，后續(xù)的 Arrow Lake、Nova Lake、Raptor Lake 更新、Twin Lake、Panther Lake 與 Wildcat La
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鎧俠即將發(fā)布三大創(chuàng)新研究成果

  • 自鎧俠官網(wǎng)獲悉，鎧俠（Kioxia）宣布其多項(xiàng)創(chuàng)新研究成果，將于今年12月7日至11日在美國(guó)舊金山舉行的IEEE國(guó)際電子器件大會(huì)（IEDM）上發(fā)表。聲明中稱(chēng)，鎧俠旨在不斷創(chuàng)新以滿(mǎn)足未來(lái)計(jì)算和存儲(chǔ)系統(tǒng)的需求。此次發(fā)布包括以下三大創(chuàng)新技術(shù)：氧化物半導(dǎo)體通道晶體管DRAM（OCTRAM）：該技術(shù)由鎧俠聯(lián)合南亞科技共同開(kāi)發(fā)，通過(guò)改進(jìn)制造工藝，開(kāi)發(fā)出一種垂直晶體管，提高了電路集成度。OCTRAM技術(shù)有望大幅降低DRAM的功耗，使其在人工智能、5G通信等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。高容量交叉點(diǎn)MRAM（磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器
  • 關(guān)鍵字： 鎧俠  存儲(chǔ)技術(shù)  DRAM  MRAM  3D堆疊  
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1α dram介紹

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